Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB3N62K3

MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB3N62K3

STB3N62K3 Hakkında

STB3N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 620V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D2PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 45W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel kontrol devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 13nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 385 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok