Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB38N65M5
MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB38N65M5
STB38N65M5 Hakkında
STB38N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj kapasitesi ve 30A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 95mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 190W maksimum güç yayınlama kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. IGBT sürücü devreleri, solar inverterleri, enerji dönüştürme sistemleri ve endüstriyel güç kontrolü uygulamalarında kullanılır. ±25V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok