Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB37N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB37N60DM2

STB37N60DM2AG Hakkında

STB37N60DM2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 110mOhm (10V, 14A'de) on-state direnci ve 54nC kapı yükü özellikleriyle tasarlanmıştır. 210W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok