Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB36NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB36NM60N
STB36NM60N Hakkında
STB36NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drain-source gerilim ve 29A sürekli akım yeteneği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırırken ısıl kayıpları minimize eder. 210W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel güç kontrol, anahtarlamaSağlaması, motor kontrolü ve enerji dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar mümkün kılınır. ±25V gate gerilim toleransı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş çalışma koşullarına uyarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2722 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok