Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB35N65M5
STB35N65M5 Hakkında
STB35N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source voltaj ve 27A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajı paketinde sunulur. 98mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Maksimum 160W güç üreten kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlama devreleri, inverter, UPS sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. ±25V gate voltaj aralığında çalışır ve 83nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3750 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok