Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB35N65DM2
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB35N65DM2
STB35N65DM2 Hakkında
STB35N65DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 28A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüler, inverterler ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gate charge değeri 54nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok