Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB34NM60ND
STB34NM60ND Hakkında
STB34NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ve 29A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 110mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Maksimum 190W güç yayabilir ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanır. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve boost dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2785 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok