Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB34NM60N

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB34NM60N

STB34NM60N Hakkında

STB34NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 29A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç elektronik devreleri, AC/DC dönüştürücüler, DC/DC dönüştürücüler ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kaybını minimize eder. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve ağır yük uygulamalarına uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2722 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 14.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok