Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB33N65M2
STB33N65M2 Hakkında
STB33N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 24A sürekli dren akımı ve 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile tasarlanmıştır. 650V VDSS voltaj sınıflaması, güç anahtarlama uygulamalarında yüksek voltaj ortamlarında kullanılmasını sağlar. Gate charge değeri 41.5nC olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maksimum 190W güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, switching power supplies, motor kontrol ve enerji yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±25V gate voltaj aralığı ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama spektrumunu destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1790 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok