Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB33N60M6
STB33N60M6 Hakkında
STB33N60M6, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi içerisinde sunulur. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır ve 190W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1515 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok