Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB33N60M2
STB33N60M2 Hakkında
STB33N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 26A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 125mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 190W güç dağılımı yapabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüşüm devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 10V gate sürücü voltajında çalışır ve 45.5nC gate yükü özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1781 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok