Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB31N65M5

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB31N65M5

STB31N65M5 Hakkında

STB31N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V dayanımlı N-Channel MOSFET transistörüdür. 22A sürekli drain akımı ve 148mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıpla çalışan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketine sahip olan STB31N65M5, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, çevirici (inverter) ve koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±25V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, 150°C maksimum joksiyontemperaturunda 150W güç dağıtabilir. 45nC gate charge ve 1865pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1865 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 148mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok