Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB30NM60ND
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB30NM60ND
STB30NM60ND Hakkında
STB30NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç elektronik devreleri, enerji dönüştürücüler, motor kontrol ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 130mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sağlar. Maksimum 190W güç dağıtabilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışır. Şu anda ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok