Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB30NM60N
STB30NM60N Hakkında
STB30NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajı ve 25A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 130mΩ maksimum gate açık direnciyle düşük güç kaybı sağlar. 10V gate sürüş voltajında 91nC gate yükü kapasitesi ve 2700pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 190W güç dağıtabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Vgs threshold voltajı 4V @ 250µA'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok