Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB30NM50N
MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB30NM50N
STB30NM50N Hakkında
STB30NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 27A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 115mOhm olup, anahtarlama ve güç denetim devrelerinde etkili çalışma sağlar. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanabilir ve 190W güç disipass edebilir. Endüstriyel kontrol, elektrik koruma sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Parça şu anda piyasada bulunmamaktadır (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2740 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok