Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB30N65M5
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB30N65M5
STB30N65M5 Hakkında
STB30N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 22A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında 139mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C maksimum junction sıcaklığında 140W güç dissipasyonu yapabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında, AC/DC dönüştürücülerde, enerji yönetimi sistemlerinde ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. 64nC gate charge ve 2880pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 139mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok