Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB30N65M2AG
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB30N65M2AG
STB30N65M2AG Hakkında
STB30N65M2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 30.8nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüleri, solar inverter uygulamaları ve switched-mode power supply (SMPS) devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. 190W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile ısıl yönetim gereksinimleri açısından da uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok