Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB30N65DM6AG
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB30N65DM6
STB30N65DM6AG Hakkında
STB30N65DM6AG, STMicroelectronics tarafından üretilen otomotiv sınıfı N-Channel MOSFET transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C sıcaklıkta 28A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile araç elektroniksi, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 115mΩ maksimum dren-kaynak direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır, 223W maksimum güç dağıtımına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 223W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok