Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB300NH02L

MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB300NH02L

STB300NH02L Hakkında

STB300NH02L, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V drain-source gerilimi (Vdss) ve 120A sürekli dren akımı (Id @ 25°C) kapasitesine sahiptir. 1.8mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulur. Maksimum 300W güç dağıtabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. 10V gate sürücü gerilimi için optimize edilmiştir. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve yüksek akım denetim devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Bileşen hayat döngüsünü tamamlamıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7055 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok