Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB2N62K3

MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB2N62K3

STB2N62K3 Hakkında

STB2N62K3, STMicroelectronics tarafından üretilen 620V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 2.2A sürekli drenaj akımı ve 3.6Ω maksimum on-direnç ile anahtarlama ve güç kontrolü devrelerinde kullanılır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, offline konvertörler ve yüksek voltaj anahtarlaması gerektiren endüstriyel sistemlerde tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında 45W güç disipasyonuna sahiptir. Vgs(th) 4.5V @ 50µA ile güvenilir kapı eşik gerilimi ve 15nC kapı yükü karakteristiği ile kontrol devrelerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok