Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB28NM60ND
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB28NM60ND
STB28NM60ND Hakkında
STB28NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 23A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar için uygundur. 150mOhm (10V, 11.5A) on-resistance değeri ile verimliliği artırır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve DC/DC dönüştürücülerde uygulanır. 62.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. Maksimum ±25V gate gerilimi ile geniş kontrol aralığına sahiptir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok