Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB28NM50N
STB28NM50N Hakkında
STB28NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V gate geriliminde 158mOhm RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 150W güç kaybı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1735 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok