Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB28N65M2
STB28N65M2 Hakkında
STB28N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) kasa türüne sahip olan bu bileşen, 180mΩ maksimum Rds(On) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 35nC gate charge ve 1440pF input kapasitans karakteristikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun hale getirmektedir. ±25V gate voltaj aralığında çalışabilir ve maksimum 170W güç dağıtabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor kontrolü ve anahtarlama düzeneklerinde kullanılan bu MOSFET transistör, 150°C'ye kadar sıcaklıkta sorunsuz çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok