Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB28N60DM2
STB28N60DM2 Hakkında
STB28N60DM2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, düşük kapı yükü (34 nC) ve 160mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen STB28N60DM2, endüstriyel motor kontrol, anahtarlamalı güç kaynakları, enerji dönüştürme devreleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 170W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile pratik uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok