Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB27NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB27NM60ND
STB27NM60ND Hakkında
STB27NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistörüdür. 21A sürekli dren akımı kapasitesi ve 160mΩ maksimum Rds(On) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. -25V ile +25V arasında gate voltajı kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda çalışabilir. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok