Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB26NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB26NM60ND
STB26NM60ND Hakkında
STB26NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 175mOhm maksimum on-state direncine ve 54.6nC gate yüküne sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 190W güç disipasyonu özellikleriyle, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±25V maksimum gate-source gerilimi ve 1817pF input kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Bileşen artık kullanımdan kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1817 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok