Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB26NM60N
STB26NM60N Hakkında
STB26NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. 20A sürekli drain akımı ve 165mOhm maksimum on-state direnci ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, boost konvertörleri, motor sürücüleri ve AC/DC güç kaynakları gibi enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 140W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok