Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB26N60M2
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB26N60M2
STB26N60M2 Hakkında
STB26N60M2, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda yer alan yüksek voltaj ve yüksek akım gerektiren sistemlerde tercih edilir. 165mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 169W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok