Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB25NM60ND
STB25NM60ND Hakkında
STB25NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 21A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 160mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimuma indirilmiştir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 150°C işletme sıcaklığında stabil çalışır ve 160W güç dağıtabilir. Endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve SMPS uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±25V gate gerilim toleransı ile geniş kontrol aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok