Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB25NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB25NM50N
STB25NM50N-1 Hakkında
STB25NM50N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 140mOhm maksimum RDS(on) direnci nedeniyle düşük ısı kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrolü, ışık kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı desteği ile yüksek sıcaklık ortamlarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2565 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok