Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB25NM50N
MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB25NM50N
STB25NM50N Hakkında
STB25NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 160W güç dağıtımı kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. 10V gate sürüş gerilimi ile standart lojik seviyeleriyle uyumludur. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2565 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok