Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB25N80K5
STB25N80K5 Hakkında
STB25N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilim ve 19.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 260mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük enerji kaybı sağlar. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme sistemleri, elektrik motor kontrolü ve endüstriyel enerji yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 40nC kapı yükü hızlı anahtarlama performansı sağlarken, 1600pF giriş kapasitansı devre tasarımında dikkate alınmalıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 19.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok