Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB24NM65N

MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB24NM65N

STB24NM65N Hakkında

STB24NM65N, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 19A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) SMD paketinde sunulan transistör, açık durumda 190mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 160W maksimum güç dağılım kapasitesi ve ±25V gate voltaj aralığı ile AC/DC güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve indüktif yükler için anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışma özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok