Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB24N65M2

MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB24N65M2

STB24N65M2 Hakkında

STB24N65M2, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 230mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Güç kaynakları, AC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenli çalışır ve 150W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok