Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB23NM60ND
STB23NM60ND Hakkında
STB23NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 19.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı kütüğünde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 180mΩ maksimum RDS(on) değerine ulaşır. Maksimum 150W güç tüketimi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Endüstriyel kontrol, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde yaygın olarak yer alır. ±25V maksimum gate gerilimi aralığında güvenli çalışır ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok