Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB23N80K5

MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB23N80K5

STB23N80K5 Hakkında

STB23N80K5, STMicroelectronics tarafından üretilen 800V yüksek voltaj N-Channel MOSFET transistördür. 16A sürekli dren akımı ve 280mΩ tipik RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 190W güç yayabilir. Düşük gate charge (33nC @ 10V) özelliği hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Endüstriyel AC/DC konvertörleri, UPS sistemleri, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılan güvenilir bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok