Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB22NM60N

MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB22NM60N

STB22NM60N Hakkında

STB22NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 16A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 220mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bu transistör, maksimum 125W güç tüketebilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve ±30V gate voltajında çalışır. Gate şarj değeri 44nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarlanmıştır. Ürün artık üretim dışı (Obsolete) olup, yedeğe veya endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok