Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB22N60DM6

MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB22N60DM6

STB22N60DM6 Hakkında

STB22N60DM6, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 240mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) paket tipinde Surface Mount olarak monte edilir. Gate charge değeri 20.6nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme devreleri, anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 130W güç tüketim kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarına uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok