Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB21NM60ND
STB21NM60ND Hakkında
STB21NM60ND, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 17A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 220mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç iletimini sağlar. ±25V gate gerilim aralığında çalışabilir ve maksimum 140W güç tüketebilir. Endüstriyel anahtarlama, motor kontrolü, güç kaynakları ve invertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C'ye kadar sıcaklıkta güvenilir şekilde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok