Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB21NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB21NM60N
STB21NM60N-1 Hakkında
STB21NM60N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 17A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtamlı güç kaynağı devreleri gibi yüksek voltaj anahtarlama işlemleri gerektiren sistemlerde yer alır. 600V dren-kaynak gerilimi ile, 220mOhm maksimum On-direnci (10V Vgs'de) ve 140W güç dağıtım kapasitesi sunmaktadır. 150°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, düşük kapasitans değerleri nedeniyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok