Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB21NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB21NM50N
STB21NM50N-1 Hakkında
STB21NM50N-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 190mΩ'dur. 65nC gate charge ve 1950pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 140W güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, solar inverter, AC-DC konverter ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok