Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB21NM50N

STB21NM50N Hakkında

STB21NM50N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 18A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç seviyesinde anahtarlama işlemlerini gerçekleştirir. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. 190mOhm maksimum Rds(on) değeri ile iletim kayıpları sınırlıdır. SMPS (Switch Mode Power Supply), adaptör, şarj cihazları ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanım alanı vardır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında ve 140W güç dağıtımı kapasitesiyle sürücü devrelerine entegre edilebilir. Obsolete status nedeniyle stok teyiti önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok