Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB21NK50Z

MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB21NK50Z

STB21NK50Z Hakkında

STB21NK50Z, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 270mΩ RDS(on) değerine sahiptir. Maksimum 190W güç tüketebilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve elektrik koruma sistemlerinde kullanılır. ±30V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Taşıyıcı endüstri ve profesyonel elektronik sistemlerinde yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok