Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB21N65M5

MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB21N65M5

STB21N65M5 Hakkında

STB21N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) paketine sahip bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 125W maksimum güç tüketimi kapasitesine ve 190mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlayan yüzey montaj türü transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok