Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB20NM60T4
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB20NM60T4
STB20NM60T4 Hakkında
STB20NM60T4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 290mΩ tipik RDS(on) değeri, 54nC gate charge ve 1500pF input kapasitansı ile düşük güç kaybı sağlar. Güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile güvenli kontrol sağlar ve 150°C üst çalışma sıcaklığında 192W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok