Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB20NM60-1
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB20NM60
STB20NM60-1 Hakkında
STB20NM60-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar (switching) görevini üstlenir. I²Pak (TO-262) gövdesi ile Through Hole montajına uygun olup, 150°C'ye kadar çalışabilir. 290mOhm RDS(On) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, endüstriyel enerji dönüştürücüleri ve yüksek voltajlı DC-DC konvertörlü uygulamalarda kullanılır. Maksimum 54nC gate charge ve ±30V gate voltajı kapasitesi bulunmaktadır. Ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 192W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok