Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB20NM50FDT4

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB20NM50FD

STB20NM50FDT4 Hakkında

STB20NM50FDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesine sahip olup, 20A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 192W güç yayılımı yapabilen ve 150°C'ye kadar çalışabilen bir yarıiletkentir. 250mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Güç kaynağı devreleri, motor kontrol, endüstriyel uygulamalar ve yüksek voltaj anahtarlama sistemlerinde tercih edilen bir transistördür. Voltaj kontrol sinyali olarak ±30V'a kadar tolerans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok