Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB20NM50-1

MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
STB20NM50

STB20NM50-1 Hakkında

STB20NM50-1, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 250mOhm maksimum on-state resistance ile düşük güç kaybı sağlar. Güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 192W güç tüketebilen bu MOSFET, 56nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok