Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STB20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STB20N65M5
STB20N65M5 Hakkında
STB20N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj kapasitesi ve 18A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarıma uygun olan bu bileşen, 130W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konuşlandırma kaybı sağlar. Endüstriyel sürücü uygulamaları, güç yönetimi, değiştirici devreler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1434 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok