Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

STB20N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STB20N60M2

STB20N60M2-EP Hakkında

STB20N60M2-EP, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 25°C'de 13A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²PAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 10V sürü voltajında maksimum 22nC gate yükü ve 4.75V eşik voltajı özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel, tüketici ve otomotiv elektronik uygulamalarında switch, invertör ve DC-DC konverter tasarımlarında tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok